EPROM : Erasable Programmable Read Only Memory

Une EPROM est une mémoire non volatile programmable électriquement.

Une PROM est aussi programmable électriquement, mais nous devons griller de manière définitive les fusibles qui se trouvent aux intersections entre les lignes et les colonnes.

Dans le cas d'une EPROM, nous utilisons encore une tension électrique, mais au lieu de brûler des fusibles nous composons les circuits du programme à l'aide de transistors. L'avantage est qu'il est possible d'effacer le programme contenu dans notre EPROM.

Le transistor FAMOS (Floating gate Avalanche injection Metal Oxyde Silicium) introduit par Intel en 1971 a permis de résoudre le problème de vieillissement prématuré de la mémoire qui se produisait lors de la production des PROMs.

Une forte tension électrique (de plus de 24 volts) est appliquée entre le drain et la source.

Les électrons qui traversent l'isolant (dioxyde de silicium) sont piégés dans la grille flottante, qui est donc portée à un potentiel négatif, entraînant la formation d'un canal d'inversion entre les deux zones P+. Le transistor devient passant.

Cette charge se maintient une dizaine d'années en condition normale.

Effacer une EPROM

L'emballage en céramique de l'EPROM comporte une petite fenêtre en quartz qui laisse passer les rayons ultraviolets.

Lors d'une irradiation par des rayons ultraviolets pendant une dizaine de minutes, le transistor qui était passant redevient bloqué.

Pour éviter une exposition intempestive aux rayons ultraviolets, un isolant à la lumière (petit adhésif opaque) est appliqué sur la fenêtre du boîtier.

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